جلد

2

شماره

در این سایت فقط تکه هایی از این مطلب با شماره بندی انتهای صفحه درج می شود که ممکن است هنگام انتقال از فایل ورد به داخل سایت کلمات به هم بریزد یا شکل ها درج نشود

شما می توانید تکه های دیگری از این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

ولی برای دانلود فایل اصلی با فرمت ورد حاوی تمامی قسمت ها با منابع کامل

اینجا کلیک کنید

ی

3

پاییز

1392

1279840468

چکیده: هدف این تحقیق، بررسی امکان تولید فازSiC از مخلوطSiO2-Mg-C در یک مایکروویو تـوان پـائین خـانگیبوده است . با بررسی نتایج حاصل مشخص شد که واکنش اولیه 2SiO وMg واکنشی احتراقی بوده و سیلیسیوم حاصـل ازاین واکنش با کربنموجود در سیستم سهتایی2Mg ،SiO و C واکنش کرده و منجر به تولید کاربید سیلیسیوم می گردد. در ادامه این تحقیق تاثیر مقدار کربن موجود در مخلوط، زمان حرارت دهی و دمای سیستم بـر روی مقـدار کاربیـد سیلیـسیومحاصل مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج بدست آمده نشان داد که مقدار کربن بر میزان کاربید حاصـل تـاثیر انـدکی دارد، بـهطوری که با افزایش میزان کربن مقدار کاربید محصول اندکی بهبود مییابد. همچنین مشاهده شد که با افزایش دما(یا بـهعبارت دیگر حفظ حرارت تولید شده در اثر انجام واکنش در داخل مجموعه) و زمان حرارتدهی، می تـوان بـه مقـدار قابـلتوجهی بر کاربید سیلیسیوم حاصل افزود.
کلید واژه: کاربید سیلیسیوم، سنتز احتراقی، گرمایش مایکروویوی.
1- مقدمه
کاربید سیلیسیوم 1 به عنوان مادهای با ویژگیهای برجسته از قبیل خواص الکتریکی مطلوب، استحکام شکست بـالا، نقطـه ذوببالا، مدول الاستیک خوب و مقاومت در برابر سایش بالا شناخته می شود. این خواص باعث شده که کاربید سیلیسیوم در سـاختدستگاه های الکتریکی پرقدرت و با فرکانس بالا با افت توان بسیار کم، نیمههادیهای دما بالا، ابزار و مواد مقاوم به سایش و نیزبه عنوان یک فاز تقویتی در کامپوزیت ها مورد استفاده قرار گیرد [1, 2].
این ترکیب دارای دو پلی فرم عمدهα وβ می باشد. کاربید سیلیـسیوم نـوعα دارای ساخــتارAB-AB در لایــه هــای Si وC است و یـک ساختار هگزاگـونال را ایـجاد مـیکنـد. در نوعβ لایه های Si وC دارای ساختارABC-ABC بوده و یک ساختارمکعبی را تولید می کنند [3].
روش معمول برای تولید کاربید سیلیسیوم، روش اچسون2 است (طبق رابطه 1) کـه دمـای تولیـد کاربیـد سیلیـسیوم در آن حـوالی
°C2100 می باشد. مصرف زیاد انرژی در حین تولید SiC به روش اچسون سبب بالا رفتن قیمت تمام شدهی محصول میشود [1].
SiO+2C=SiC+2CO(g) (1


پاسخ دهید